Nhằm nghiên cứu sâu hơn về bản chất và tương tác giữa các vật liệu ở cấp độ nguyên tử, các tính toán dựa trên lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) được thực hiện dưới sự hợp tác của TS. Vũ Hoàng Nam và PGS. TS. Phạm Kim Ngọc. Trong hướng nghiên cứu này, chúng tôi tập trung mô phỏng và tính toán các tính chất điện của vật liệu ứng dụng chế tạo memristor, vật liệu nhiệt điện…
Tính toán hệ tiếp giáp Kim loại/ Bán dẫn
trong cấu trúc MIM của Memristor
Trong hướng nghiên cứu này, các tính chất điện như năng lượng
liên kết, cấu trúc dải năng lượng, mật độ trạng thái, công thoát về mặt… được
tính toán nhằm chỉ ra được độ ổn định của các tiếp giáp, tính toán được chiều
cao rào thế Schottky và cũng như sự ảnh hưởng của khuyết tật lên các mô hình tiếp
giáp. Các kết quả này được sử dụng để hỗ trợ cho việc giải thích cơ chế hoạt động
của memristor cấu trúc MIM của nhóm thực nghiệm.
Cấu trúc nguyên tử của bền mặt kim loại được mô phỏng theo các hướng khác nhau.
Các mô hình tiếp giáp
Kim loại / Bán dẫn được xây dựng
Cấu trúc dải điện tử và mật độ trạng thái riêng phần
của các tiếp giáp
Tính toán mô phỏng vật liệu pha tạp cho ứng dụng nhiệt điện:
Mô hình các vật liệu pha tạp các kim loại khác được mô phỏng
và tính toán các tính chất điện bằng phương pháp DFT nhằm xác định khối lượng
hiệu dụng, năng lượng hình thành sai hỏng và độ dài liên kết giữa các nguyên tử
vật liệu, từ đó góp phần chỉ ra sự ảnh hưởng của tỷ lệ pha tạp và nhiệt độ đế lên
tính chất điện của màng vật liệu.
Cấu trúc khối ZnO được pha tạp
Cấu trúc vùng năng lượng và khối lượng hiệu dụng của
khối ZnO pha tạp
Các nhu cầu tham gia học tập và chế tạo vật liệu, linh kiện tại IMM Lab, xem thêm tại đây
Post a Comment